场效应管发热的原因主要有以下几点：
工作状态不当：场效应管应工作在线性状态而非开关状态。例如，N-MOS管在开关时，栅极（G级）电压需要比电源高几V才能完全导通，而P-MOS管则相反。若没有完全打开而压降过大，会导致功率消耗增加，等效直流阻抗增大，压降增大，从而使得U*I增大，损耗增加，最终导致发热。
损耗增大：为了追求体积缩小，可能会提高工作频率，这会导致场效应管上的损耗增加，进而使得发热量加大。
电流过大：如果电流超过场效应管的标称电流值，且没有良好的散热措施，会导致热量积累，使得场效应管发热严重。需要足够的辅助散热片来确保良好的散热效果。
内阻未充分考虑：在选择场效应管时，如果对功率判断有误，没有充分考虑其内阻，会导致开关阻抗增大，从而增加损耗和发热。
驱动电压幅度不够：场效应管是电压控制器件，若栅极驱动电压幅度不够大，或者驱动脉冲边沿不够陡直，会导致管压降增大，管耗增加，进而发热。
导通电阻和开关损耗随温度升高而增加：场效应管的导通电阻和开关损耗会随着温度的升高而增加，导致在工作过程中产生更多的热能。
综上所述，场效应管发热的原因多种多样，涉及电路设计、工作频率、散热条件、器件选型及驱动电路等多个方面。为了有效控制场效应管的发热，需要从这些方面进行综合考量和优化设计。
